恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈宪伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910822039.4，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权半导体结构及其制造方法是由陈宪伟;杨庆荣;陈洁设计研发完成，并于2019-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包括衬底、内连结构、焊盘、保护层以及接合结构。内连结构设置在衬底之上。焊盘设置在内连结构之上且电连接到内连结构。焊盘的顶表面具有探针标记且探针标记具有凹表面。保护层共形地覆盖焊盘的顶表面及探针标记。接合结构设置在保护层之上。接合结构包括接合介电层及第一接合金属层，第一接合金属层穿透接合介电层及保护层以电连接到焊盘。还提供一种制造半导体结构的方法。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 内连结构，设置在衬底之上； 焊盘，设置在所述内连结构之上且电连接到所述内连结构，其中所述焊盘的顶表面具有探针标记且所述探针标记具有凹表面； 保护层，共形地覆盖所述焊盘的所述顶表面及所述探针标记；以及 接合结构，设置在所述保护层之上，其中所述接合结构包括接合介电层及第一接合金属层，所述第一接合金属层穿透所述接合介电层及所述保护层以电连接到所述焊盘； 钝化层，设置在所述焊盘与所述内连结构之间以及所述接合结构与所述内连结构之间；以及 第二接合金属层，位于所述焊盘旁边，其中所述第二接合金属层穿透所述接合介电层、所述保护层及所述钝化层以电连接到所述内连结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号