恭喜朗姆研究公司丹尼斯·豪斯曼获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利使用水解的选择性沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112005343B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980027453.4，技术领域涉及：H01L21/285；该发明授权使用水解的选择性沉积是由丹尼斯·豪斯曼;保罗·莱曼利设计研发完成，并于2019-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用水解的选择性沉积在说明书摘要公布了：提供了用于相对于电介质表面在金属表面上选择性沉积金属氧化物的方法和设备。选择性沉积是通过以下方式来实现的：将金属和电介质表面暴露于能够与金属形成可水解键同时与电介质形成不可水解键的阻断剂，然后将其表面浸渍在水中以裂解可水解键，并在电介质表面上留下阻断表面，接着相对于电介质表面在金属表面上选择性地沉积金属氧化物。阻断剂通过湿式或干式技术沉积，并且可以包括例如烷基氨基硅烷或烷基氯硅烷。
本发明授权使用水解的选择性沉积在权利要求书中公布了：1.一种在衬底上相对于介电材料在暴露的金属表面上选择性沉积金属氧化物的方法，所述方法包含：a提供包括所述介电材料和所述暴露的金属表面的所述衬底；b在沉积所述金属氧化物前，将所述衬底暴露于阻断剂，以将所述阻断剂非选择性地吸附在所述介电材料和所述暴露的金属表面两者上，其中所述阻断剂与所述暴露的金属表面形成可水解键，但不与所述介电材料形成可水解键；c在将所述衬底暴露于所述阻断剂之后，且在沉积所述金属氧化物之前，将所述阻断剂从所述暴露的金属表面选择性地移除；以及d在所述衬底上相对于所述介电材料而在所述暴露的金属表面上选择性地沉积所述金属氧化物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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