恭喜台湾积体电路制造股份有限公司耿文骏获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109817716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811229473.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体装置结构及其形成方法是由耿文骏;林祐宽;杨昌达;王屏薇设计研发完成，并于2018-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构及其形成方法在说明书摘要公布了：提供半导体装置结构及其形成方法。此方法包含在半导体基底之上形成第一鳍结构、第二鳍结构、及第三鳍结构。此方法包含在第一鳍结构和第二鳍结构的侧壁之上形成第一间隔物元件以及部分地移除第一鳍结构和第二鳍结构。此方法包含在第三鳍结构的侧壁之上形成第二间隔物元件以及部分地移除第三鳍结构。第二间隔物元件高于第一间隔物元件。此方法包含在第一鳍结构、第二鳍结构、及第三鳍结构之上外延生长半导体材料，则在第一鳍结构及第二鳍结构上形成合并半导体元件，且在第三鳍结构上形成隔离半导体元件。
本发明授权半导体装置结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：在一半导体基底之上形成一第一鳍结构、一第二鳍结构、及一第三鳍结构；在该第一鳍结构和该第二鳍结构的多个侧壁之上形成多个第一间隔物元件；在形成该些第一间隔物元件之后，部分地移除该第一鳍结构和该第二鳍结构；在该第三鳍结构的多个侧壁之上形成多个第二间隔物元件，其中各个该些第二间隔物元件高于各个该些第一间隔物元件，且在形成该些第一间隔物元件之前形成该些第二间隔物元件；在形成该些第二间隔物元件之后，部分地移除该第三鳍结构；以及在部分地移除该第一鳍结构、该第二鳍结构、和该第三鳍结构之后，在该第一鳍结构、该第二鳍结构、及该第三鳍结构之上外延生长一半导体材料，从而在该第一鳍结构及该第二鳍结构上形成一合并半导体元件，且在该第三鳍结构上形成一隔离半导体元件。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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