恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张前江获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911184688.2，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张前江;苏波设计研发完成，并于2019-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有牺牲膜；在所述牺牲膜表面形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层内形成第一开口，所述第一开口暴露出牺牲膜表面；形成所述第一开口之后，以所述第一阻挡层为掩膜，对所述牺牲膜进行离子注入，使得第一开口暴露出的牺牲膜形成掺杂牺牲层，第一阻挡层底部的牺牲膜形成未掺杂牺牲层。所述方法有利于提高图案转移的准确度，从而形成的半导体结构的性能较好。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面具有牺牲膜；在所述牺牲膜表面形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层内形成第一开口，所述第一开口暴露出牺牲膜表面；形成所述第一开口之后，以所述第一阻挡层为掩膜，对所述牺牲膜进行离子注入，使得第一开口暴露出的牺牲膜形成掺杂牺牲层，第一阻挡层底部的牺牲膜形成未掺杂牺牲层，所述掺杂牺牲层为后续进行图案转移的掩膜；形成第一阻挡层之后，在所述第一阻挡层内形成第一开口之前，在所述第一阻挡层表面形成第二阻挡层，所述第二阻挡层内具有暴露出第一阻挡层表面的第二开口，且所述第二开口的位置对应第一开口的位置；其中，第二阻挡层的硬度小于第一阻挡层的硬度；相对于所述第一阻挡层，所述第二阻挡层的硬度与用于形成第二开口的图形化层的硬度更接近；所述第一阻挡层的材料包括：氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号