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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于半导体处理的基于硅的沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110520964B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880025529.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权用于半导体处理的基于硅的沉积是由汤姆·A·坎普;米尔扎菲尔·K·阿巴特切夫设计研发完成，并于2018-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于半导体处理的基于硅的沉积在说明书摘要公布了：提供了一种用于处理具有碳基图案化掩模的堆叠件的方法。将所述堆叠件放置在蚀刻室中。通过原子层沉积，经由提供多个循环在所述碳基图案化掩模上沉积氧化硅层，其中，所述多个循环中的每个循环包括提供硅前体沉积阶段，其包括：使原子层沉积前体气体流入所述蚀刻室，其中所述原子层沉积前体气体在没有等离子体的同时沉积，以及使所述原子层沉积前体气体的流动停止；以及提供氧沉积阶段，其包括：使臭氧气体流入所述蚀刻室，其中所述臭氧气体在没有等离子体的同时与所沉积的所述前体气体结合，以及使所述臭氧气体流入所述蚀刻室的流动停止。蚀刻所述氧化硅层的一部分。从所述蚀刻室中去除所述堆叠件。

本发明授权用于半导体处理的基于硅的沉积在权利要求书中公布了：1.一种用于原位处理具有碳基图案化掩模的堆叠件的方法，其包括：将所述堆叠件放置在蚀刻室中；通过原子层沉积，经由提供多个循环在所述碳基图案化掩模上沉积氧化硅层，而不消耗或侵蚀所述碳基图案化掩模，其中，所述多个循环中的每个循环包括：提供硅前体沉积阶段，其包括：使包含含硅成分的原子层沉积前体气体流入所述蚀刻室，其中所述原子层沉积前体气体在没有等离子体的同时沉积在所述碳基图案化掩模上；以及使所述原子层沉积前体气体的流动停止；以及提供氧沉积阶段，其包括：仅使基本上由臭氧气体组成的氧沉积气体流入所述蚀刻室，其中所述臭氧气体在没有等离子体的同时与所沉积的所述前体气体结合，以及使所述氧沉积气体流入所述蚀刻室的流动停止；蚀刻所述氧化硅层的一部分，其包括：使包含碳氟化合物的成形气体流入所述蚀刻室；使所述成形气体形成为等离子体，从而蚀刻所述氧化硅层；以及使所述成形气体的流动停止；并且从所述蚀刻室中去除所述堆叠件。

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