恭喜朗姆研究公司阿德里安·拉沃伊获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利碳膜的原子层沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112005339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980022653.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权碳膜的原子层沉积是由阿德里安·拉沃伊设计研发完成，并于2019-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳膜的原子层沉积在说明书摘要公布了：使用具有铝‑碳键的含铝反应物例如三烷基铝与具有碳‑卤素键的含碳反应物例如碳氟化合物，例如，CF4或CH2F2之间的反应，通过原子层沉积将碳膜沉积在半导体衬底上。该方法包括顺序地将反应物引入处理室，在半导体衬底的表面上形成一种或两种反应物的吸附限制层，并使含铝反应物与含碳反应物反应以形成量受到吸附受限反应物层限制的碳层。从处理室中去除含铝副产物。这样的碳层可用于间隙填充应用中，例如在3DNAND制造中，以及在自对准双图案化工艺中用作隔离物。
本发明授权碳膜的原子层沉积在权利要求书中公布了：1.一种在处理室中的半导体衬底的表面上形成碳层的方法，该方法包括：a将含铝反应物引入所述处理室，其中所述含铝反应物具有至少一个铝-碳键；b将含碳反应物引入所述处理室，其中所述含碳反应物具有至少一个碳-卤素键，并且其中所述含碳反应物不同于所述含铝反应物；c在所述含铝反应物和所述含碳反应物中的一者或两者在所述半导体衬底的所述表面上形成吸附受限层的条件下，使所述含铝反应物和所述含碳反应物中的至少一者吸附到所述半导体衬底的所述表面上；以及d在所述含铝反应物和所述含碳反应物中的至少一者已在所述半导体衬底的所述表面上形成吸附受限层之后，使所述含铝反应物与所述含碳反应物反应，以在所述半导体衬底的所述表面上形成碳层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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