恭喜苏州维业达科技有限公司;苏州大学刘麟跃获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州维业达科技有限公司;苏州大学申请的专利屏蔽膜及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112449566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910835890.0，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权屏蔽膜及其制作方法是由刘麟跃;周小红;基亮亮设计研发完成，并于2019-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本屏蔽膜及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种屏蔽膜，包括由微电铸制备形成包括多条金属线的屏蔽区，以及由微电铸制备形成、连接于所述屏蔽区至少一侧、用以降低所述屏蔽区整体的厚度差异的缓冲区。本发明还公开了一种屏蔽膜的制作方法，该方法包括：提供具有屏蔽区图形凹槽以及与屏蔽区图形凹槽连接的缓冲区图形凹槽的固化胶层；在屏蔽区图形凹槽和缓冲区图形凹槽内采用微电铸制备屏蔽区以及与屏蔽区连接的缓冲区；将连接在一起的屏蔽区和缓冲区与固化胶层分离，获得屏蔽膜。通过微电铸制备屏蔽区以及在屏蔽区至少一侧制备缓冲区，使得屏蔽区的整体的厚度差异较小，从而使屏蔽区的厚度比较均匀，进而增强了屏蔽膜的电磁屏蔽效果。
本发明授权屏蔽膜及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽膜，其特征在于，包括由微电铸制备形成包括多条金属线的屏蔽区，以及由微电铸制备形成、连接于所述屏蔽区至少一侧、用以降低所述屏蔽区整体的厚度差异的缓冲区，所述屏蔽区四周均设置所述缓冲区；所述缓冲区的宽度大于所述屏蔽区中金属线的宽度；所述屏蔽区设有第一导电层、设置在所述第一导电层上的第二导电层，所述缓冲区设有第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层，所述第一导电层连接所述第一金属层，所述第二导电层连接所述第二金属层；所述第二导电层的厚度大于所述第一导电层的厚度，所述第二金属层的厚度大于所述第一金属层的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州维业达科技有限公司;苏州大学，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区钟南街478号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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