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龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利具有腔间隔器的半导体纳米线装置和制造半导体纳米线装置的腔间隔器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113611610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110901984.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有腔间隔器的半导体纳米线装置和制造半导体纳米线装置的腔间隔器的方法是由R·梅汉德鲁;思雅·S·廖;S·M·策亚设计研发完成，并于2015-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有腔间隔器的半导体纳米线装置和制造半导体纳米线装置的腔间隔器的方法在说明书摘要公布了：描述具有腔间隔器的半导体纳米线装置和制造用于半导体纳米线装置的腔间隔器的方法。例如，半导体装置包含设置在衬底上方的多个垂直堆叠纳米线，纳米线中的每个包含离散沟道区。公共栅极电极堆叠环绕多个垂直堆叠纳米线的离散沟道区中的每个。一对电介质间隔器在公共栅极电极堆叠的任一侧上，所述一对电介质间隔器中的每个包含沿公共栅极电极的侧壁设置并且环绕垂直堆叠纳米线中的每个的离散部分的连续材料。一对源极和漏极区在所述一对电介质间隔器的任一侧上。

本发明授权具有腔间隔器的半导体纳米线装置和制造半导体纳米线装置的腔间隔器的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在衬底上方形成鳍结构，所述鳍结构包括交替有源层和牺牲层；在所述鳍结构上形成牺牲栅极堆叠，从而使所述鳍结构的源极和漏极区暴露；去除所述源极和漏极区中的所述鳍结构的牺牲层的部分；继去除所述源极和漏极区中的所述鳍结构的所述牺牲层的部分之后，在所述源极和漏极区中以及在所述牺牲栅极堆叠上面形成共形电介质材料层；蚀刻所述共形电介质材料层以在公共栅极电极堆叠的两侧上形成一对电介质间隔器，所述一对电介质间隔器中的每个包括沿所述牺牲栅极堆叠的侧壁设置并且环绕所述源极和漏极区中的有源层中的每个的离散部分的连续材料；继蚀刻所述共形电介质材料层以形成所述一对电介质间隔器之后，在所述源极和漏极区中形成源极和漏极结构；继形成所述源极和漏极结构之后，去除所述牺牲栅极堆叠使所述鳍结构的沟道区暴露；去除所述沟道区中的所述鳍结构的牺牲层的部分；以及在所述一对电介质间隔器之间并且环绕所述沟道区中的所述有源层中的每个的离散部分形成永久栅极电极堆叠。

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