恭喜日东电工株式会社大西谦司获国家专利权
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龙图腾网恭喜日东电工株式会社申请的专利切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN106189897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201610366194.6，技术领域涉及：C09J7/20；该发明授权切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置是由大西谦司;三隅贞仁;宍户雄一郎;木村雄大设计研发完成，并于2016-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置在说明书摘要公布了：本发明涉及切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供可防止覆盖膜的剥离不良、能够防止半导体芯片的静电破坏的切割芯片接合薄膜等。本发明涉及一种切割芯片接合薄膜，其形成为卷状。切割芯片接合薄膜包含覆盖膜和配置在覆盖膜上的切割片一体型粘接薄膜。切割片一体型粘接薄膜包含切割片，所述切割片包含以第1面和与第1面相向的第2面来定义两面的基材层和与第1面接触的粘合剂层。切割片一体型粘接薄膜还包含粘接薄膜，所述粘接薄膜以与粘合剂层接触的第1主面和与第1主面相向的第2主面来定义两面。第2面的表面电阻值为1.0×1011Ωsq.以下。第2主面的表面电阻值为1.0×1012Ωsq.以上。
本发明授权切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种切割芯片接合薄膜，其形成为卷状，其包含：覆盖膜，和配置在所述覆盖膜上的切割片一体型粘接薄膜，所述切割片一体型粘接薄膜包含：切割片，所述切割片包含以第1面和与所述第1面相向的第2面来定义两面的基材层和与所述第1面接触的粘合剂层；以及粘接薄膜，所述粘接薄膜以与所述粘合剂层接触的第1主面和与所述第1主面相向的第2主面来定义两面，所述粘接薄膜不包含导电性成分，所述第2面的表面电阻值为1.0×1011Ωsq.以下，所述第2主面的表面电阻值为1.0×1012Ωsq.以上且1.0×1017Ωsq.以下，所述基材层包含具有所述第1面的第1基材层和具有所述第2面的第2基材层，所述第2基材层包含导电性成分，所述第1基材层不含导电性成分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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