恭喜济南晶正电子科技有限公司胡卉获国家专利权
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龙图腾网恭喜济南晶正电子科技有限公司申请的专利纳米级单晶薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108539009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810644600.X，技术领域涉及：H10N30/85；该发明授权纳米级单晶薄膜是由胡卉;朱厚彬;胡文;罗具廷;张秀全;李真宇;李洋洋设计研发完成，并于2018-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米级单晶薄膜在说明书摘要公布了：提供了一种纳米级单晶薄膜。所述纳米级单晶薄膜包括纳米级单晶薄膜层、第一过渡层、隔离层、第二过渡层和衬底层，第一过渡层位于纳米级单晶薄膜层与隔离层之间，第二过渡层位于隔离层与衬底层之间，其中，第一过渡层包含一定浓度的H元素。
本发明授权纳米级单晶薄膜在权利要求书中公布了：1.一种纳米级单晶薄膜，其特征在于，所述纳米级单晶薄膜包括：纳米级单晶薄膜层；隔离层；衬底层；以及第一过渡层和第二过渡层，第一过渡层位于纳米级单晶薄膜层与隔离层之间，所述纳米级单晶薄膜层的材料为铌酸锂、钽酸锂或石英，所述隔离层为二氧化硅层；第二过渡层为非晶态，位于隔离层与衬底层之间，所述衬底层的材料为铌酸锂、钽酸锂、硅、石英、蓝宝石或碳化硅；其中，所述第一过渡层包含一定浓度的H元素，所述第一过渡层中的H元素的浓度为1×1019个原子cc~1×1022个原子cc，第一过渡层中的H元素具有最大浓度处，并且第一过渡层中的H元素的浓度从最大浓度处分别向隔离层和纳米级单晶薄膜层的方向逐渐降低。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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