恭喜株式会社半导体能源研究所山崎舜平获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210902715.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置是由山崎舜平;肥冢纯一;冈崎健一;岛行德;松田慎平;马场晴之;本田龙之介设计研发完成，并于2017-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3Vdecade的区域。
本发明授权半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，包括：在室温下在衬底上形成第一氧化物半导体膜；形成栅电极、漏电极和源电极；在所述第一氧化物半导体膜上形成绝缘膜；以及形成所述绝缘膜之后在含氮的气氛中进行热处理，其中，所述第一氧化物半导体膜是通过溅射装置使用至少包含氧的沉积气体形成的，所述第一氧化物半导体膜包括第一晶体管的沟道区域，所述沉积气体中的氧的比例为高于0％且30％以下，在所述溅射装置的待机模式下，沉积室中相当于mz＝18的气体分子的分压为1×10-4Pa以下，所述源电极包括与所述第一氧化物半导体膜接触的区域，所述漏电极包括与所述第一氧化物半导体膜接触的区域，并且，所述栅电极包括与所述第一氧化物半导体膜重叠的区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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