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申请/专利权人:日本电产株式会社
申请日:2020-01-16
公开(公告)日:2021-11-05
公开(公告)号:CN113615058A
专利技术分类:.为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路[2006.01]
专利摘要:提出了一种驱动电路,该驱动电路具有:驱动用NMOS晶体管和驱动用PMOS晶体管,所述驱动用NMOS晶体管和所述驱动用PMOS晶体管彼此共用的漏极与负载连接,所述驱动用NMOS晶体管具有设定为基准电位的源极,所述驱动用PMOS晶体管具有设定为第一电位的源极;第一双极型晶体管,其用于对驱动用PMOS晶体管的导通和截止进行控制;第一开关元件,其使驱动用NMOS晶体管的栅极和源极之间导通或不导通;以及第二开关元件,其使驱动用PMOS晶体管的栅极和源极之间导通或不导通。
专利权项:1.一种驱动电路,其具有:驱动用NMOS晶体管和驱动用PMOS晶体管,所述驱动用NMOS晶体管和所述驱动用PMOS晶体管彼此共用的漏极与负载连接,所述驱动用NMOS晶体管具有设定为基准电位的源极,所述驱动用PMOS晶体管具有设定为第一电位的源极;第一双极型晶体管,其用于对驱动用PMOS晶体管的导通和截止进行控制;第一电阻,其一端与第一双极型晶体管的集电极连接,另一端设定为所述第一电位;第一开关元件,其使驱动用NMOS晶体管的栅极和源极之间导通或不导通;以及第二开关元件,其使驱动用PMOS晶体管的栅极和源极之间导通或不导通,驱动用NMOS晶体管的栅极与第一输入端子连接,该第一输入端子被输入在所述基准电位和比所述第一电位低的第二电位之间变动的第一脉冲信号,第一开关元件在第一脉冲信号为所述基准电位的情况下使驱动用NMOS晶体管的栅极和源极之间导通,在第一脉冲信号为所述第二电位的情况下使驱动用NMOS晶体管的栅极和源极之间不导通,第一双极型晶体管的基极与第二输入端子连接,该第二输入端子被输入在所述基准电位和所述第二电位之间变动的第二脉冲信号,第二开关元件在第二脉冲信号为所述基准电位的情况下使所述驱动用PMOS晶体管的栅极和源极之间导通,在第二脉冲信号为所述第二电位的情况下使驱动用PMOS晶体管的栅极和源极之间不导通。
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