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申请/专利权人：株式会社迪思科
申请日：2020-12-16
公开（公告）日：2021-06-25
公开（公告）号：CN113020738A
专利技术分类：.辐射能法钎焊[2006.01]
专利摘要：本发明提供激光回流装置和激光回流方法，在进行半导体芯片的凸块的回流的激光回流工艺中，能够抑制基板的翘曲并且降低凸块连接不良。激光回流装置对包含在一个侧面上配置有凸块的半导体芯片的被加工物从半导体芯片侧照射激光束而对被加工物的被照射范围所包含的凸块进行回流，该激光回流装置包含空间光调制单元和成像单元，该空间光调制单元具有能够对从激光光源射出的激光束局部地设定被照射范围内的激光功率密度的激光功率密度设定功能，该成像单元具有将从激光光源射出的激光束成像在被加工物上并照射到被加工物的被照射范围的成像功能。
专利权项：1.一种激光回流装置，其对包含在一个侧面上配置有凸块的半导体芯片的被加工物从该半导体芯片的另一个侧面照射激光束而对该被加工物的被照射范围所包含的该凸块进行回流，其中，该激光回流装置包含空间光调制单元和成像单元，该空间光调制单元具有能够对从激光光源射出的激光束局部地设定该被照射范围内的激光功率密度的激光功率密度设定功能，该成像单元具有将从该激光光源射出的激光束成像在该被加工物上并照射到该被加工物的该被照射范围的成像功能，或者，该激光回流装置包含空间光调制单元，该空间光调制单元具有能够对从激光光源射出的激光束局部地设定该被照射范围内的激光功率密度的激光功率密度设定功能、以及将该激光束成像在该被加工物上并照射到该被加工物的该被照射范围的成像功能。
百度查询： 株式会社迪思科 激光回流装置和激光回流方法
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