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申请/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日：2003-03-26
公开（公告）日：2008-04-09
公开（公告）号：CN100380603C
专利技术分类：......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）[2006.01]
专利摘要：本发明公开一种纳米线制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底的表面提供构图的刻蚀掩模，以及沿垂直于该半导体衬底表面的方向刻蚀该半导体衬底以形成纳米线，其中该半导体衬底包括第一材料的第一层、第二材料的第二层和第三材料的第三层，这些层相互邻接；第二层夹在第一层和第三层之间，并具有至多100nm的厚度，以及刻蚀穿过第一层、第二层和第三层以用于形成纳米线，使得该纳米线包括第一材料的第一区、第二材料的第二区和包含第三材料的第三区。在所得纳米线中，界面是非常地明显。因此在第一和第二电极之间具有纳米线的电子装置具有很好的电致发光和光电特性。
专利权项：1.一种制造纳米线的方法，包括以下步骤：-在半导体衬底的表面提供构图的刻蚀掩模，以及-沿垂直于该半导体衬底表面的方向刻蚀该半导体衬底以形成纳米线，其特征在于：-该半导体衬底包括第一材料的第一层、第二材料的第二层和第三材料的第三层，这些层相互邻接；-第二层夹在第一层和第三层之间，并具有至多100nm的厚度，以及-刻蚀穿过第一层、第二层和第三层以用于形成纳米线，使得该纳米线包括第一材料的第一区、第二材料的第二区和包含第三材料的第三区。
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