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申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2009-02-20
公开(公告)日:2015-04-29
公开(公告)号:CN101643196B
专利技术分类:
专利摘要:本发明公开了纳米线、纳米线的生产方法及电子装置。所述纳米线包含富硅氧化物。所述纳米线表现出优良的导电性质和光学特性,因此所述纳米线有效地应用在包括例如太阳能电池、传感器、光电探测器、发光二极管、激光二极管、EL装置、PL装置、CL装置、FET、CTF、表面等离子波导、MOS电容器等的各种应用中。
专利权项:一种纳米线,所述纳米线包含:富硅氧化物,其化学式为SiOx,其中,x大于0并且小于2,其中,所述纳米线包括芯部分和壳部分;芯部分包含晶体的富硅氧化物或非晶的富硅氧化物,而壳部分包含二氧化硅,纳米线的壳部分包含硅点。
百度查询: 三星电子株式会社 纳米线、纳米线的生产方法及电子装置
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