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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2009-02-20
公开（公告）日：2010-02-10
公开（公告）号：CN101643196A
专利技术分类：
专利摘要：这里公开了纳米线、纳米线的生产方法及电子装置。所述纳米线包含富硅氧化物。所述纳米线表现出优良的导电性质和光学特性，因此所述纳米线有效地应用在包括例如太阳能电池、传感器、光电探测器、发光二极管、激光二极管、EL装置、PL装置、CL装置、FET、CTF、表面等离子波导、MOS电容器等的各种应用中。
专利权项：1、一种纳米线，所述纳米线包含：富硅氧化物。
百度查询： 三星电子株式会社 纳米线、纳米线的生产方法及电子装置
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