拉芳德利责任有限公司卡斯滕·施密特获国家专利权
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龙图腾网获悉拉芳德利责任有限公司申请的专利具有较小偏移的垂直霍尔元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112236878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980038380.9，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权具有较小偏移的垂直霍尔元件及其制造方法是由卡斯滕·施密特;格哈德·施皮茨尔施佩格设计研发完成，并于2019-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有较小偏移的垂直霍尔元件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了垂直霍尔元件，包括：第一导电类型的衬底，具有第一表面和第二表面；第二导电类型的阱，设置在衬底的两个表面中并在这两个表面上暴露；以及至少四个端子，优选地包括与阱接触的第二导电类型的高掺杂区。至少两个端子布置在第一表面上，并且至少两个端子布置在第二表面上，使得第一表面上的一个端子和第二表面上的一个端子在正交于衬底表面的横截面中具有相同但相对的位置。备选地，一个元件包括中央的一对相对的表面端子，而另两个端子包括连接到第一表面的横向掩埋的掺杂区。
本发明授权具有较小偏移的垂直霍尔元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直霍尔元件，包括： -第一导电类型的衬底，具有第一表面和第二表面； -阱，设置在所述衬底中，所述阱具有第二导电类型； 其中，所述阱在所述衬底的所述第一表面和所述第二表面两者上暴露，所述垂直霍尔元件包括布置在所述衬底的所述第一表面上并且与所述阱接触的至少两个端子、以及布置在所述衬底的所述第二表面上并且与所述阱接触的至少另外两个端子，其中所述衬底的所述第二表面上的所述至少另外两个端子被设置为在所述衬底的正交投影上在所述衬底的所述第一表面上的所述至少两个端子的下方， 所述垂直霍尔元件还包括： 介电层，设置在所述衬底的所述第一表面上； 布线，嵌入所述介电层中；以及 填充有导电填充物的硅通孔，所述硅通孔提供穿过所述衬底的垂直导电路径，用于将所述衬底的所述第二表面上的所述至少另外两个端子中的一个端子连接到所述介电层中的所述布线。
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