太阳能爱迪生半导体有限公司李荣中获国家专利权
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龙图腾网获悉太阳能爱迪生半导体有限公司申请的专利单晶硅晶片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111370473.7，技术领域涉及：H01L21/322；该发明授权单晶硅晶片是由李荣中;柳在祐;金昞天;罗伯特·J·法斯特;朴淳成;金泰勋;池浚焕;卡瑞喜玛·玛莉·哈德森设计研发完成，并于2017-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶硅晶片在说明书摘要公布了：本申请涉及一种单晶硅晶片，其包含两个主要平行表面，其中一个为正面并且另一个为背面、正面与背面之间的中心平面、连接正面与背面的圆周边缘、具有从正面朝向中心平面测量的深度D的正面层，并且其中主体区域处于正面层与中心平面之间，其中：主体区域包含密度为至少约1×107cm‑3并且氧沉淀物的峰值密度为至少约1×109cm‑3的氧沉淀物，其中峰值密度处于正面层与中心平面之间；正面层包含密度小于约1×107cm‑3的氧沉淀物，其中正面层的深度D在约1微米与约40微米之间；并且正面不具有栅极氧化物完整性图案相关的晶体缺陷带。
本发明授权单晶硅晶片在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅晶片，其包含两个主要平行表面，其中一个为正面并且另一个为背面，所述正面与所述背面之间的中心平面、连接所述正面与所述背面的圆周边缘、具有从所述正面朝向所述中心平面测量的深度D的正面层，并且主体区域处于所述正面层与所述中心平面之间，其中： 所述单晶硅晶片具有500微米和1000微米之间的厚度，并且其中： 所述主体区域包含密度为至少1×108cm-3并且氧沉淀物的峰值密度为至少5×109cm-3的氧沉淀物，其中所述峰值密度处于距所述单晶硅晶片的所述正面至少10微米和小于20微米之间； 所述正面层包含密度小于1×107cm-3的氧沉淀物，其中所述正面层的所述深度D在1微米与10微米之间； 所述正面不具有栅极氧化物完整性图案相关的晶体缺陷带，并且 其中所述单晶硅晶片是P-型并且具有小于10毫欧姆·厘米的电阻率。
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