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龙图腾网获悉君泰创新(北京)科技有限公司申请的专利一种硅基异质结太阳能电池及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110970523B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811138029.0，技术领域涉及：H10F10/16；该发明授权一种硅基异质结太阳能电池及制造方法是由董刚强;崔鸽;郁操;李沅民;徐希翔设计研发完成，并于2018-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基异质结太阳能电池及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅基异质结太阳能电池及制造方法，所述硅基异质结太阳能电池包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片具有相背设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上由内至外依次设置有第一本征钝化层、N型背场层、第一透明导电层和第一电极，在所述第二表面上由内至外依次设置有第二本征钝化层、P型发射极层、第二透明导电层和第二电极；其中，在所述第一透明导电层和所述N型背场层之间还设置有透明导电膜缓冲层。这样，可以使所述第一透明导电层与所述N型非晶或微晶硅层之间的接触电阻较低。

本发明授权一种硅基异质结太阳能电池及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基异质结太阳能电池，其特征在于，包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片具有相背设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上由内至外依次设置有第一本征钝化层、N型背场层、第一透明导电层和第一电极，在所述第二表面上由内至外依次设置有第二本征钝化层、P型发射极层、第二透明导电层和第二电极； 其中，在所述第一透明导电层和所述N型背场层之间还设置有透明导电膜缓冲层； 所述透明导电膜缓冲层为氧化铟锡缓冲层或掺铝氧化铟缓冲层； 所述透明导电膜缓冲层为经过快速退火处理所形成； 所述第一电极通过丝网印刷方式设置在所述第一透明导电层上，所述第二电极通过丝网印刷方式设置在所述第二透明导电层上； 所述第一本征钝化层为第一本征非晶或微晶钝化层，所述N型背场层为N型非晶或微晶层，所述第二本征钝化层为第二本征非晶或微晶钝化层，所述P型发射极层为P型非晶或微晶层； 所述在所述N型单晶硅片的第一表面上依次沉积第一本征钝化层、N型背场层、透明导电膜缓冲层和第一透明导电层，具体包括： 采用磁控溅射方式在所述N型背场层上沉积所述透明导电膜缓冲层； 所述透明导电膜缓冲层为掺铝氧化锌缓冲层或氧化铟锡缓冲层； 在所述N型背场层上沉积所述透明导电膜缓冲层之后，在所述透明导电膜缓冲层上，沉积所述第一透明导电层之前，对沉积有所述透明导电膜缓冲层的所述N型单晶硅片快速退火处理； 对沉积有所述掺铝氧化锌缓冲层的N型单晶硅片快速退火处理，具体包括： 在0.5分钟至5分钟内，将沉积有所述透明导电膜缓冲层的所述N型单晶硅片的温度升高至第一退火温度，且在所述第一退火温度下，将所述透明导电膜缓冲层保温持续0.2至3.5分钟，保温完毕后对所述透明导电膜缓冲层进行冷却处理，其中，所述第一退火温度大于或等于450摄氏度，且小于或等于600摄氏度； 对沉积有所述氧化铟锡缓冲层的N型单晶硅片快速退火处理，具体包括： 在0.5分钟至5分钟内，将沉积有所述透明导电膜缓冲层的所述N型单晶硅片的温度升高至第二退火温度，且在所述第二退火温度下，将所述氧化铟锡缓冲层保温持续0.2至3.5分钟，保温完毕后对所述透明导电膜缓冲层进行冷却处理，其中，所述第二退火温度大于或等于500摄氏度，且小于或等于600摄氏度。

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