成都红芯源电子科技有限公司赵平获国家专利权
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龙图腾网获悉成都红芯源电子科技有限公司申请的专利一种宽带低噪声放大器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223141889U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421998346.0，技术领域涉及：H03F1/26；该实用新型一种宽带低噪声放大器是由赵平;王志林;钟亮设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽带低噪声放大器在说明书摘要公布了：本实用新型专利公开了一种宽带低噪声放大器，采用国内晶圆厂GaAs工艺，该宽带低噪声放大器使用一级共源共栅结构，通过负反馈实现宽带的匹配设计，同时在共栅晶体管栅极增加到地电容，共源管和共栅管漏极增加峰化电感，以提高高频增益，扩展带宽，改善噪声。
本实用新型一种宽带低噪声放大器在权利要求书中公布了：1.一种宽带低噪声放大器，其特征在于，包括共源晶体管M1和共栅管晶体M2，所述共源晶体管M1的源极接地，所述共源晶体管M1的漏极与所述共栅管晶体M2的源极连接，所述共源晶体管M1的栅极与电感L1的一端连接，所述电感L1的另一端分别与接地电容C1和输入直流偏置器的一端连接，所述输入直流偏置器的另一端作为所述宽带低噪声放大器的输入端； 所述共栅管晶体M2的漏极与电感L3的一端连接，所述电感L3的另一端分别与接地电容C4和输出直流偏置器的一端连接，所述输出直流偏置器的另一端作为所述宽带低噪声放大器的输出端； 所述宽带低噪声放大器还包括与所述共栅管晶体M2的栅极和所述共栅管晶体M2的漏极均连接的负反馈回路，以及与所述共源晶体管M1的栅极和所述共栅管晶体M2的漏极均连接的RLC负反馈回路。
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