成都纤声科技有限公司王韬获国家专利权
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龙图腾网获悉成都纤声科技有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076700B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510561488.3，技术领域涉及：H10N30/88；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由王韬;牛浩博设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括依次层叠的前置膜层、氧化层和表层金属层，所述氧化层包括多个通过沟槽间隔的预设氧化区，所述表层金属层包括与所述预设氧化区对应的预设金属层，所述预设金属层包裹所述预设氧化区。表层金属层将预设氧化区包裹，避免表层金属层下方的预设氧化区在释放时受到损伤，增强表层金属层的稳定性，实现表层金属层对其下方的预设氧化区的隔离保护，在释放工艺后，表层金属层完整呈现在器件表面，未发生脱落、支撑不足及断裂等情况。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括依次层叠的前置膜层、氧化层和表层金属层，所述氧化层包括多个通过沟槽间隔的预设氧化区，所述表层金属层包括与所述预设氧化区对应的预设金属层，所述预设金属层包裹所述预设氧化区；所述预设氧化区之外的所述前置膜层露出；所述预设金属层在所述预设氧化区的侧壁的底端还形成第一折边，所述第一折边贴合于所述预设氧化区下方的膜层的上表面； 或者，所述沟槽为U形沟槽，所述预设金属层包括包裹所述预设氧化区的第一金属层和连接于所述第一金属层两侧的U形金属层，所述U形金属层与所述U形沟槽匹配。
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