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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种基于反电势变化的永磁电机轴心轨迹的测量计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120110226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510579795.4，技术领域涉及：H02P6/182；该发明授权一种基于反电势变化的永磁电机轴心轨迹的测量计算方法是由姜晨醒;曹海峰;王曦;孙兆澎;陈宇璇;唐志龙;杨仓颉设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于反电势变化的永磁电机轴心轨迹的测量计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于反电势变化的永磁电机轴心轨迹的测量计算方法，首先分析反电势与转子位移的关系，获得当转子位移较小时，反电势的幅值变化与转子位移之间呈近似线性的关系；接着对多单元电机进行有限元建模，获得不同偏心距离下的反电势幅值变化，利用最小二乘法进行线性拟合，标定反电势幅值变化与转子位移之间的比例系数；将多驱动单元电机中的非驱动单元电机进行空载测试，获得非驱动单元电机的空载反电势；提取空载测试获得的非驱动单元的反电势波形，计算反电势幅值变化量；将反电势幅值变化量结合标定得到的比例系数，计算非驱动单元对应的转子位移，本发明无需附加物理传感器进行测量，且不受驱动逆变器干扰，简单易行。

本发明授权一种基于反电势变化的永磁电机轴心轨迹的测量计算方法在权利要求书中公布了：1.一种基于反电势变化的永磁电机轴心轨迹的测量计算方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、分析反电势与转子位移的关系，获得当转子位移与原始气隙长度的比值≤0.1时，反电势的幅值变化与转子位移之间呈近似线性的关系，分析反电势与转子位移的关系包括： 永磁电机的气隙磁通密度与气隙长度成反比为： 其中，为真空磁导率，为永磁体等效磁化强度，当转子发生径向位移时，局部气隙长度变为： 其中，为原始气隙长度，为转子位置角； 当时，对磁通密度进行泰勒展开并保留一阶项为： 此时，气隙磁通密度的变化量与位移近似呈线性关系： 而反电势由磁通变化率决定，对于定子绕组，反电势幅值与气隙磁通基波分量成正比： 其中，为绕组匝数，为转子角速度，当转子位移引起磁通基波分量变化时，反电势幅值变化为： 磁通基波分量表示为： 代入，并积分得： 因此，当时，反电势幅值的变化量与转子位移呈线性关系： ； S2、对多单元电机进行有限元建模，获得不同偏心距离下的反电势幅值变化，利用最小二乘法进行线性拟合，标定反电势幅值变化与转子位移之间的比例系数； S3、将多驱动单元电机划分为若干个驱动单元电机和非驱动单元电机，将驱动单元电机连接驱动器以驱动电机旋转，并将非驱动单元电机进行空载测试，获得非驱动单元电机的空载反电势； S4、提取空载测试获得的非驱动单元的反电势波形，计算获得反电势幅值变化量； S5、将步骤S3获得的反电势幅值变化量结合步骤S2标定得到的比例系数，计算非驱动单元对应的转子位移，再结合非驱动单元所对应转子的偏心方向，合成电机转子的轴心轨迹。

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