联发科技股份有限公司齐彦尧获国家专利权
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龙图腾网获悉联发科技股份有限公司申请的专利半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010768717.6，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装结构是由齐彦尧;刘乃玮;林子闳设计研发完成，并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体封装结构，包括：天线装置，包括：导电图案层，包括第一天线元件，形成在绝缘基板中并且邻近于该绝缘基板的第一表面；第二天线元件，形成在该绝缘基板的与该第一表面相对的第二表面上；以及半导体封装，包括：重分布层结构，接合并电连接到该导电图案层；第一半导体晶粒，电连接到该重分布层结构；密封层，形成在该重分布层结构上并围绕该第一半导体晶粒。这样将半导体封装设置在绝缘基板外，从而可以减小带有天线的绝缘基板的厚度，并且可以减小半导体封装结构的尺寸以及晶粒到天线的损耗。
本发明授权半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 天线装置，包括：导电图案层，包括第一天线元件，形成在绝缘基板中并且邻近于该绝缘基板的第一表面；第二天线元件，形成在该绝缘基板的与该第一表面相对的第二表面上；以及 半导体封装，包括：重分布层结构，接合并电连接到该导电图案层；第一半导体晶粒，电连接到该重分布层结构；密封层，形成在该重分布层结构上并围绕该第一半导体晶粒； 该半导体封装结构还包括： 第一焊球，将该重分布层结构接合到该导电图案层，使得该导电图案层与该重分布层结构由间隙隔开；以及 第二焊球，电连接到该导电图案层并围绕具有该重分布层结构、第一半导体晶粒和密封层的该半导体封装，该第二焊球设置在该绝缘基板上并电连接到该第一天线元件，该第一焊球的尺寸小于该第二焊球的尺寸； 第一电容器，形成在该天线装置的该导电图案层和该半导体封装的该重分布层结构之间的该间隙中并电连接到该半导体封装的该重分布层结构，该第一电容器设置在至少两个第一焊球之间； 第二无源器件，电连接到该天线装置的该导电图案层并且在该半导体封装和该第二焊球之间。
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