东京毅力科创株式会社陈艳获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利用于等离子体刻蚀中的端点检测的合成波长获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114270472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080058806.X,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权用于等离子体刻蚀中的端点检测的合成波长是由陈艳;田新康;维·翁设计研发完成,并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于等离子体刻蚀中的端点检测的合成波长在说明书摘要公布了:描述了一种用于使用光发射光谱法OES数据作为输入来确定刻蚀工艺端点的方法。OES数据由等离子体刻蚀加工室中的光谱仪获取。首先对获取的随时间演变的光谱数据进行过滤和去平均,并且随后使用诸如主分量分析等多变量分析将该数据变换为经变换的光谱数据或趋势,在该多变量分析中,使用先前计算的主分量权重来完成该变换。通过将主分量权重分组为与正自然波长和负自然波长相对应的两个单独的组,来创建单独的有符号趋势合成波长。
本发明授权用于等离子体刻蚀中的端点检测的合成波长在权利要求书中公布了:1.一种用于在等离子体加工系统中确定刻蚀工艺端点数据的方法,该方法包括: 在刻蚀加工系统的等离子体加工室中执行等离子体刻蚀工艺运行; 在一个或多个刻蚀工艺期间从该等离子体加工室获取光发射光谱法OES数据; 对该OES数据执行多变量数据分析,以通过对波长进行分组来根据该OES数据生成合成OES数据,其中生成合成OES数据包括对与和自然波长相关联的正权重和负权重相对应的波长进行分组;以及 使用该合成OES数据以供稍后用于在原位确定该刻蚀工艺端点。
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