武汉衍熙微器件有限公司廖珮淳获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉衍熙微器件有限公司申请的专利声波器件的制作方法及声波器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112532199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011243085.8,技术领域涉及:H03H9/02;该发明授权声波器件的制作方法及声波器件是由廖珮淳设计研发完成,并于2020-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本声波器件的制作方法及声波器件在说明书摘要公布了:本公开实施例公开了一种声波器件的制作方法及声波器件,所述声波器件包括谐振结构,所述方法包括:在衬底表面形成围绕器件区的连线层;其中,所述器件区用于设置所述谐振结构;在所述连线层表面形成导电的支撑结构;其中,所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度;在所述支撑结构的顶部形成覆盖所述器件区的封装层;其中,所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成围绕所述器件区的密封腔体。
本发明授权声波器件的制作方法及声波器件在权利要求书中公布了:1.一种声波器件的制作方法,其特征在于,所述声波器件包括谐振结构,所述方法包括: 在衬底表面形成所述衬底表面的围绕器件区的连线层;其中,所述器件区用于设置所述谐振结构; 在所述连线层表面形成导电的支撑结构;其中,所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度;所述在所述连线层表面形成导电的支撑结构,包括:采用电镀或者真空镀膜的方式,在所述连线层表面形成导电的所述支撑结构; 在所述支撑结构的顶部形成覆盖所述器件区的封装层;其中,所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成围绕所述器件区的密封腔体; 在形成所述支撑结构之后,且在形成所述封装层之前,形成位于所述谐振结构靠近所述衬底一侧的空腔反射结构。
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