山东华光光电子股份有限公司刘飞获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110053399.X，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法是由刘飞;于军;朱振;邓桃设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述红光半导体激光器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、Alx6Ga1‑x6y4In1‑y4P渐变电子阻挡层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、带隙过渡层和GaAs帽层。通过优化电子阻挡层的结构及厚度设计，在低Al组分AlGaInP波导层及AlInP限制层中插入组分渐变Al1‑xGaxyIn1‑yP结构，并优化该层厚度及掺杂设计，达到抑制电子溢出的目的，同时有效提高空穴能量，提高空穴注入效率，使小功率AlGaInP红光激光器具有较小的工作电流及更高的光电转换效率。
本发明授权一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器，所述激光器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、（Alx6Ga1-x6）y4In1-y4P渐变电子阻挡层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、带隙过渡层和GaAs帽层； 其中，所述上波导层是（Alx5Ga1-x5）y3In1-y3P上波导层；0.25≤x5≤0.5，0.4≤y3≤0.6； 所述（Alx6Ga1-x6）y4In1-y4P组分渐变，0.25≤x6≤0.75，0.4≤y4≤0.6，x6由0.25渐变至0.75，Al组分线性增加、Ga组分线性减少，生长厚度为1~20nm； 所述第一上限制层是Al0.52In0.48P第一上限制层。
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