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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有伪装设计的半导体装置，多路复用器单元及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113707656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110258904.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权具有伪装设计的半导体装置，多路复用器单元及其形成方法是由吕士濂设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有伪装设计的半导体装置，多路复用器单元及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及具伪装设计的半导体装置，多路复用器单元及其形成方法。该半导体装置包含半导体衬底、导电段、导电层、第一接触元件及第二接触元件。所述半导体衬底包含有源区域。所述导电段形成于所述半导体衬底上且跨所述有源区域延伸。所述导电层形成于所述半导体衬底及所述导电段上方。形成于所述导电段与所述导电层的第一导电部分之间的所述第一接触元件经布置以将所述导电段电连接到所述第一导电部分。所述第二接触元件形成于所述导电段与所述导电层的第二导电部分之间。所述第一接触元件及所述第二接触元件形成于所述导电段上且彼此间隔开。所述第二接触元件经布置以电隔离所述导电段与所述第二导电部分。

本发明授权具有伪装设计的半导体装置，多路复用器单元及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种多路复用器单元，其包括： 半导体衬底； 导电层，其形成于所述半导体衬底上方； 多对晶体管，其形成于所述半导体衬底上，每一对晶体管包括p沟道晶体管及n沟道晶体管；所述p沟道晶体管及所述n沟道晶体管中的每一者的栅极结构、第一源极漏极结构及第二源极漏极结构电连接到所述导电层，所述栅极结构包括： 导电段，其形成于所述半导体衬底上且跨所述半导体衬底的有源区域延伸，所述第一源极漏极结构及所述第二源极漏极结构形成于所述有源区域上且定位于所述导电段的对置侧处，所述导电层的第一导电部分及第二导电部分分别交越所述导电段的第一部分及第二部分； 第一接触元件及第二接触元件，其分别形成于所述导电段的所述第一部分及所述第二部分上，所述第一接触元件经布置以将所述导电段电连接到所述第一导电部分，所述第二接触元件经布置以电隔离所述导电段与所述第二导电部分；及 互连结构，其定位于每一对晶体管之间且电连接到所述导电层，其中所述晶体管对包含第一对晶体管、第二对晶体管及第三对晶体管；所述互连结构经布置以将所述第一对晶体管的每一栅极结构、所述第二对晶体管的每一第一源极漏极结构及所述第三对晶体管的每一第一源极漏极结构分别电连接到所述多路复用器单元的选择端子、第一输入端子及第二输入端子。

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