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龙图腾网获悉瑞昱半导体股份有限公司申请的专利半导体电容阵列布局获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110546704.9，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体电容阵列布局是由黄诗雄设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体电容阵列布局在说明书摘要公布了：一种半导体电容阵列布局，包含一第一导电结构与一第二导电结构。该第一导电结构包含：多个纵向第一导电条位于一第一积体电路层；多个横向第一导电条位于一第二积体电路层，并经由通孔耦接该多个纵向第一导电条，并且与该多个纵向第一导电条共同地形成多个井形结构。该多个井形结构包含一外侧井与一内侧井，该外侧井与该内侧井在电性上不相连。该第二导电结构包含：多个第二导体位于该第一积体电路层，并位于该多个井形结构中。该多个第二导体包含一外侧第二导体与一内侧第二导体，分别地位于该外侧井与该内侧井中。该外侧第二导体与该内侧第二导体在电性上不相连。该外侧井与该外侧第二导体共同地作为一虚设电容单元。

本发明授权半导体电容阵列布局在权利要求书中公布了：1.一种带有虚设电容结构的半导体电容阵列布局，该半导体电容阵列布局包含： 一第一导电结构，包含： M个纵向第一导电条，位于一第一积体电路层，其中该M为大于2的整数； N个横向第一导电条，位于一第二积体电路层，并且与该M个纵向第一导电条共同地形成[M-1×N-1]个井形结构，该[M-1×N-1]个井形结构包含N-1个外侧井与{[M-2×N-1]}个内侧井，该N-1个外侧井与该{[M-2×N-1]}个内侧井在电性上不相连，其中该N为大于1的整数； 一第二导电结构，包含： [M-1×N-1]个第二导体，位于该第一积体电路层，并且分别地位于该[M-1×N-1]个井形结构中，该[M-1×N-1]个第二导体包含N-1个外侧第二导体与{[M-2×N-1]}个内侧第二导体，该N-1个外侧第二导体位于该N-1个外侧井中，该{[M-2×N-1]}个内侧第二导体位于该{[M-2×N-1]}个内侧井中，该N-1个外侧第二导体与该{[M-2×N-1]}个内侧第二导体在电性上不相连， 其中该N-1个外侧井与该N-1个外侧第二导体共同地作为该虚设电容结构的至少一部分，并且{[M-2×N-1]}个内侧井中的每一个包括由所述M个纵向第一导电条中的两个和所述N个横向第一导电条中的两个构成的四个侧面，并且从而围绕所述{[M-2×N-1]}个内侧第二导体中的一个。

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