深圳市美思先端电子有限公司许克宇获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市美思先端电子有限公司申请的专利一种压力传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113390552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110655068.3，技术领域涉及：G01L9/00；该发明授权一种压力传感器及其制备方法是由许克宇;武斌设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压力传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种压力传感器，包括玻璃底座和位于所述玻璃底座上的硅应变膜片，该玻璃底座的一面设有凹陷空腔，该硅应变膜片包括位于正面的绝缘介质层和绝缘介质层覆盖的硅衬底；所述硅应变膜片的正面朝向所述空腔处设有鱼骨形的十字梁膜件，所述十字梁膜件的各个端部设有一组压敏电阻、一组重掺杂接触区和一对金属引线，压敏电阻和重掺杂接触区串接，两端由金属引线从重掺杂接触区引出，所述金属引线和所述重掺杂接触区在所述硅应变膜片的正面形成欧姆接触，且各压敏电阻之间形成惠斯通电桥；降低成本，提高效率，可调节传感器的性能，适用于不同的量程；抗干扰性强，有着优异的刚度、极限屈服弯矩和恢复力特性。
本发明授权一种压力传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器，其特征在于，包括玻璃底座1和位于所述玻璃底座1上的硅应变膜片2，该玻璃底座1的一面设有凹陷空腔，该硅应变膜片2包括位于正面的绝缘介质层和绝缘介质层覆盖的硅衬底； 所述硅应变膜片2的正面朝向所述空腔处设有鱼骨形的十字梁膜件3，所述十字梁膜件3的各个端部设有一组压敏电阻4、一组重掺杂接触区5和一对金属引线6，压敏电阻4和重掺杂接触区5串接，两端由金属引线6从重掺杂接触区5引出，所述金属引线6和所述重掺杂接触区5在所述硅应变膜片2的正面形成欧姆接触，且各压敏电阻4之间形成惠斯通电桥； 所述十字梁膜件3包括等间距或非等间距设置的岛状梁块31和用于连接各所述岛状梁块31的鱼骨条32；所述十字梁膜件3的各个梁上的岛状梁块31数目相等；所述十字梁膜件3与边缘膜区域相连处的十字梁膜件3为直条形或线性渐变形，所述十字梁膜件3的端部采用方形凸台结构。
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