东京毅力科创株式会社石田寿文获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利边缘环和蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903647B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110743919.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权边缘环和蚀刻装置是由石田寿文;斋藤祐介设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本边缘环和蚀刻装置在说明书摘要公布了：本发明提供边缘环和蚀刻装置。提供能够抑制边缘环的内周部的消耗的边缘环。一种边缘环，其围绕在被等离子体处理腔室内的基板支承部支承着的被蚀刻物的外周，其中，所述边缘环具有自外周部朝向内周部去而变低的倾斜面，将位于所述倾斜面上的比距离所述边缘环的最内周和最外周为等距离的中间线靠内周部的地点Xa处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T1，将位于所述倾斜面上的比所述中间线靠外周的地点Xb处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T2，将所述地点Xa处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T3，将所述地点Xb处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T4，此时，满足T2T1＞T4T3的关系。
本发明授权边缘环和蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种边缘环，该边缘环围绕在被等离子体处理腔室内的基板支承部支承着的被蚀刻物的外周，其中， 所述边缘环具有自外周部朝向内周部去而变低的倾斜面， 将位于所述倾斜面上的比距离所述边缘环的最内周和最外周为等距离的中间线靠内周部的地点Xa处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T1， 将位于所述倾斜面上的比所述中间线靠外周的地点Xb处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T2， 将所述地点Xa处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T3， 将所述地点Xb处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T4，此时，满足T2T1＞T4T3的关系。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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