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龙图腾网获悉IMEC非营利协会申请的专利用于形成晶体管结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121807B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110982949.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权用于形成晶体管结构的方法是由曾文德;J·博迈尔斯;B·布里格斯设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于形成晶体管结构的方法在说明书摘要公布了：用于形成第一和第二晶体管结构的方法，其中第一和第二晶体管结构由绝缘壁间隔开，包括：在衬底的半导体层上形成第一和第二半导体层堆叠，每个层堆叠在自底向上的方向上包括牺牲层和沟道层，其中层堆叠由延伸到半导体层衬底中的沟槽间隔开，沟槽填充有绝缘壁材料以形成绝缘壁；处理层堆叠以分别在第一和第二器件区中形成第一和第二晶体管结构，处理包括形成源极区和漏极区并形成栅极堆叠；还包括，在处理前：通过刻蚀去除每个层堆叠的牺牲层以在绝缘壁的任一侧上在第一和第二层堆叠的沟道层下面形成相应空腔，沟道层被绝缘壁支撑；在空腔中沉积底部绝缘材料；在处理后，底部绝缘材料在绝缘壁的任一侧上在源极区、漏极区和沟道区下形成底部绝缘层。

本发明授权用于形成晶体管结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于相应地在衬底的第一器件区和第二器件区中形成第一晶体管结构和第二晶体管结构的方法，每个晶体管结构包括源极区、漏极区、在沿着该衬底的第一方向上在该源极区与该漏极区之间延伸的沟道区、以及在该沟道区处的栅极堆叠，其中，该第一晶体管结构和该第二晶体管结构在横向于该第一方向的沿着该衬底的第二方向上由在该第一方向上延伸的绝缘壁间隔开，并且该方法包括： 在该衬底的半导体层上形成该第一器件区中的第一半导体层堆叠以及该第二器件区中的第二半导体层堆叠，每个半导体层堆叠在自底向上的方向上包括第一牺牲层、多个沟道层和多个第二牺牲层，这些第二牺牲层与这些沟道层交替，并且这些沟道层是由不同于该第一牺牲层和这些第二牺牲层的材料形成的，其中，每个第一牺牲层包括下厚度部分和上厚度部分，最底部的沟道层被形成在该上厚度部分上，其中，这些半导体层堆叠由延伸到该衬底的该半导体层中的沟槽间隔开，该沟槽填充有绝缘壁材料以形成该绝缘壁；以及 处理这些半导体层堆叠以相应地在该第一器件区和该第二器件区中形成该第一晶体管结构和该第二晶体管结构，该处理包括通过对于这些沟道层选择性地刻蚀这些第二牺牲层来形成释放的沟道层部分，形成这些源极区和这些漏极区并且沿着这些沟道层部分形成这些栅极堆叠； 该方法进一步包括，在所述处理之前： 在该第一半导体层堆叠和该第二半导体层堆叠的背离该绝缘壁的侧壁表面上形成间隔物层，该间隔物层覆盖这些沟道层和这些第二牺牲层的侧壁表面；以及至少暴露这些第一牺牲层的该下厚度部分； 通过刻蚀来去除每个半导体层堆叠的该第一牺牲层，从而在该绝缘壁的任一侧上在该第一半导体层堆叠和该第二半导体层堆叠的该沟道层下面形成相应的空腔，这些沟道层被该绝缘壁支撑，其中，每个半导体层堆叠的该第一牺牲层是通过在使用该间隔物层作为刻蚀掩模时刻蚀这些第一牺牲层来对于这些第二牺牲层选择性地去除的；以及 在所述空腔中沉积底部绝缘材料； 其中，在所述处理之后，该底部绝缘材料在该绝缘壁的任一侧上在该源极区、该漏极区和该沟道区下面形成底部绝缘层。

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