株式会社东芝志茂俊辅获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝申请的专利光电转换元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110985714.2，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权光电转换元件及其制造方法是由志茂俊辅;都鸟显司设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电转换元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电转换元件及其制造方法。提供能改善特性的光电转换元件及其制造方法。根据实施方式，光电转换元件包含第1导电层、第2导电层和设于上述第1导电层及上述第2导电层之间且含有Sn及Pb的光电转换层。上述光电转换层包含第1部分区域、上述第1部分区域与上述第2导电层之间的第2部分区域、和上述第2部分区域与上述第2导电层之间的第3部分区域。上述第1部分区域具有第1Sn浓度和第1Pb浓度。上述第2部分区域具有低于上述第1Sn浓度的第2Sn浓度和高于上述第1Pb浓度的第2Pb浓度的至少任一者。上述第3部分区域包含Sn、氧和Pb。
本发明授权光电转换元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.光电转换元件，其具备第1导电层、第2导电层和设于上述第1导电层及上述第2导电层之间且含有Sn及Pb的光电转换层， 上述光电转换层包含第1部分区域、上述第1部分区域与上述第2导电层之间的第2部分区域、和上述第2部分区域与上述第2导电层之间的第3部分区域， 上述第1部分区域具有第1Sn浓度和第1Pb浓度， 上述第2部分区域具有低于上述第1Sn浓度的第2Sn浓度和高于上述第1Pb浓度的第2Pb浓度的至少任一者， 上述第3部分区域包含Sn、氧和Pb， 上述光电转换层包含多个晶粒。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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