中国科学院福建物质结构研究所林琦获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院福建物质结构研究所申请的专利一种半导体量子阱激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113708219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110991003.6，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种半导体量子阱激光器及其制备方法是由林琦;林中晞;赵晓凡;朱振国;钟杏丽;苏辉设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体量子阱激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光通信技术领域，具体涉及一种半导体量子阱激光器及其制备方法，所述激光器包括其外延结构包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、下限制层、有源层、上限制层和接触层；所述上保护层上设置有脊波导和若干刻蚀槽，所述刻蚀槽分布在脊波导上，所述刻蚀槽将所述脊波导分割成若干不连续的脊波导分段。本发明实现类似于啁啾，切趾或者相移光栅效应，来实现较窄的线宽输出，同时可以避免光栅制造，二次外延生长等复杂工艺，简化激光器的制备工艺。
本发明授权一种半导体量子阱激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体量子阱激光器，其特征在于，其包括其外延结构包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、下限制层、有源层、上限制层和接触层； 所述外延结构还包括：下波导层、上波导层、过渡层、下保护层、刻蚀阻挡层和上保护层； 所述下波导层位于下限制层和有源层之间，所述上波导层、过渡层自下而上依次位于有源层和上限制层之间，所述下保护层、刻蚀阻挡层和上保护层自下而上依次设置在上限制层和接触层之间； 所述上保护层上有脊波导和若干刻蚀槽，所述刻蚀槽分布在脊波导上，所述刻蚀槽将所述脊波导分割成若干不连续的脊波导分段； 所述脊波导各分段之间的耦合系数、和或脊波导各分段的长度、和或刻蚀槽的宽度中沿谐振腔轴向的分布，包含切趾分布、啁啾分布或者相移分布中的至少两种。
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