华灿光电(浙江)有限公司蒋媛媛获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利硅基衬底高电子迁移率晶体管外延片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111072151.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权硅基衬底高电子迁移率晶体管外延片制备方法是由蒋媛媛;刘旺平设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅基衬底高电子迁移率晶体管外延片制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种硅基衬底高电子迁移率晶体管外延片制备方法，属于半导体器件技术领域。用氢气对硅基衬底上的表面进行去氧化物处理，避免氧作为杂质进入AlN成核层影响AlN成核层的质量，提高质量。向反应腔通入硅源处理硅基衬底的表面，直径较小的Si原子可以对凹坑起到填充作用，提高平整度。向反应腔通入氨气处理硅基衬底的表面并生成SiN薄膜，保证硅基衬底上生长的薄层的平整度的同时，SiN薄膜为AlN成核层提供良好的生长基础，可以有效提高硅基衬底上生长的薄层的平整度并减小后续生长的外延结构中的杂质，提高最终得到的HEMT外延片的平整度、均匀性与晶体质量。
本发明授权硅基衬底高电子迁移率晶体管外延片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基衬底高电子迁移率晶体管外延片的制备方法，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管外延片的制备方法包括： 提供一硅基衬底； 使用氢气对所述硅基衬底的表面进行去氧化物处理； 向反应腔通入硅源处理所述硅基衬底的表面，以提高所述硅基衬底的表面平整度； 向所述反应腔通入氨气处理所述硅基衬底的表面并生成SiN薄膜； 在所述SiN薄膜上依次生长AlN成核层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层。
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