台湾积体电路制造股份有限公司江国诚获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111081706B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911008242.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体装置是由江国诚;朱熙甯;程冠伦;王志豪设计研发完成，并于2019-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括第一装置鳍状物与第二装置鳍状物。第一源极漏极构件外延成长于第一装置鳍状物上。第二源极漏极构件外延成长于第二装置鳍状物上。第一虚置鳍状结构位于第一装置鳍状物与第二装置鳍状物之间。栅极结构部分包覆第一装置鳍状物、第二装置鳍状物、与第一虚置鳍状结构。第一虚置鳍状结构的第一部分位于第一源极漏极构件与第二源极漏极构件之间并位于栅极结构之外。第一虚置鳍状结构的第二部分位于栅极结构之下。第一虚置鳍状结构的第一部分与第二部分具有不同的物理特性。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 一第一装置鳍状物； 一第二装置鳍状物； 一第一源极漏极构件，外延成长于该第一装置鳍状物上； 一第二源极漏极构件，外延成长于该第二装置鳍状物上； 一第一虚置鳍状结构，位于该第一装置鳍状物与该第二装置鳍状物之间；以及 一栅极结构，部分包覆该第一装置鳍状物、该第二装置鳍状物、与该第一虚置鳍状结构， 其中该第一虚置鳍状结构的第一部分，位于该第一源极漏极构件与该第二源极漏极构件之间并位于该栅极结构之外且包括第一种介电材料； 该第一虚置鳍状结构的第二部分，位于该栅极结构之下并包括第一种介电材料，以及第一种介电材料上的第二种介电材料，且第二种介电材料的介电常数大于第一种介电材料的介电常数；以及 该第一虚置鳍状结构的第一部分与第二部分具有不同的物理特性。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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