矽力杰半导体技术(杭州)有限公司叶佳明获国家专利权
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龙图腾网获悉矽力杰半导体技术(杭州)有限公司申请的专利固晶结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111668170B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010503945.0，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权固晶结构及其制造方法是由叶佳明设计研发完成，并于2020-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本固晶结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种固晶结构及其制造方法，包括：基板，位于所述基板第一表面上的晶片，位于所述晶片背面的第一层胶，以及至少覆盖所述晶片侧壁的第二层胶，其中，所述晶片至少通过所述第一层胶粘贴在所述基板的第一表面。本发明提供的固晶结构使得晶片在工作中产生的结温可通过晶片下方的第一层胶传导至基板上，同时可通过在晶片侧壁的第二层胶传导至基板，且所述第一层胶中不包括空洞，可在保证稳定的绝缘能力的情况下，提升封装的散热能力。
本发明授权固晶结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种固晶结构，包括： 基板， 位于所述基板第一表面上的晶片， 位于所述晶片背面的第一层胶，以及 至少覆盖所述晶片侧壁的第二层胶， 其特征在于，所述晶片至少通过所述第一层胶粘贴在所述基板的第一表面； 所述第一层胶和所述第二层胶不相同，其中，所述第一层胶和所述第二层胶都被设置为不导电胶，所述第二层胶具有高的导热系数，所述第二层胶的导热系数不小于2WmK； 所述第一层胶和所述第二层胶通过不同的工艺形成，其中，所述第一层胶通过刷胶的工艺形成或者通过在所述晶片的背面贴DAF膜形成，使得所述第一层胶中不包括空洞，且使得所述第一层胶具有均匀的厚度； 所述第二层胶通过点胶的工艺形成。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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