台湾积体电路制造股份有限公司李欣怡获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010638792.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件和方法是由李欣怡;陈智城;洪正隆;张文;徐志安设计研发完成，并于2020-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体器件和方法。公开了一种包括围绕功函数金属层的阻挡层的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；第一沟道区域，位于半导体衬底之上；第二沟道区域，位于第一沟道区域之上；栅极电介质层，围绕第一沟道区域和第二沟道区域；功函数金属层，围绕栅极电介质层；以及阻挡层，围绕功函数金属层，围绕第一沟道区域的第一阻挡层与围绕第二沟道区域的第二阻挡层融合。
本发明授权半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体衬底； 第一沟道区域，位于所述半导体衬底之上； 第二沟道区域，位于所述第一沟道区域之上； 栅极电介质层，围绕所述第一沟道区域和所述第二沟道区域； 功函数金属层，围绕所述栅极电介质层；以及 阻挡层，围绕所述功函数金属层设置以防止金属从所述功函数金属层迁移，其中，围绕所述第一沟道区域的第一阻挡层与围绕所述第二沟道区域的第二阻挡层融合。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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