台湾积体电路制造股份有限公司陈高超获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片及形成其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113054003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010800249.6，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权集成芯片及形成其的方法是由陈高超;何嘉政;刘铭棋设计研发完成，并于2020-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片及形成其的方法在说明书摘要公布了：一种集成芯片包括上覆在隔离结构上的场板。栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。蚀刻停止层在侧向上从栅极电极的上表面延伸到衬底的前侧。蚀刻停止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在第一层间介电ILD层内，第一层间介电层上覆在衬底上。场板从第一ILD层的顶表面延伸到蚀刻停止层的上表面。隔离结构设置在衬底内且从衬底的前侧延伸到位于衬底的前侧下方的点。隔离结构在侧向上设置在栅极电极与漏极区之间。
本发明授权集成芯片及形成其的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括： 栅极电极，在源极区与漏极区之间上覆在衬底上； 蚀刻停止层，在侧向上从所述栅极电极的上表面延伸到所述衬底的前侧，其中所述蚀刻停止层上覆在设置在所述源极区与所述漏极区之间的漂移区上； 场板，设置在第一层间介电层内，所述第一层间介电层上覆在所述衬底上，其中所述场板从所述第一层间介电层的顶表面延伸到所述蚀刻停止层的上表面；以及 隔离结构，设置在所述衬底内且从所述衬底的所述前侧延伸到位于所述衬底的所述前侧下方的点，且所述隔离结构设置在所述漂移区内，其中所述隔离结构在侧向上设置在所述栅极电极与所述漏极区之间，且其中所述场板上覆在所述隔离结构上，所述场板在侧向上设置在所述漏极区及所述栅极电极之间且与所述漏极区及所述栅极电极间隔开，且所述场板的边缘在侧向上设置在所述隔离结构的第一外侧壁之外，所述场板直接接触所述蚀刻停止层的侧壁但不延伸至所述栅极电极的顶表面上。
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