意法半导体(克洛尔2)公司B·马蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利包括雪崩二极管阵列的集成电路及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112802912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011162098.2，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权包括雪崩二极管阵列的集成电路及其制造方法是由B·马蒂设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括雪崩二极管阵列的集成电路及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及包括雪崩二极管阵列的集成电路及其制造方法。集成电路在半导体衬底中形成。单光子雪崩二极管的阵列在半导体衬底的前侧形成。该阵列包括第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管彼此相邻。布拉格反射镜被定位在第一二极管与第二二极管之间。布拉格反射镜被配置成防止光在第一二极管与第二二极管之间的传播。
本发明授权包括雪崩二极管阵列的集成电路及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 半导体衬底； 单光子雪崩二极管的阵列，被形成在所述半导体衬底的前侧，所述阵列包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管和所述第二二极管彼此相邻；以及 布拉格反射镜，被定位在所述第一二极管与所述第二二极管之间，所述布拉格反射镜被配置成防止光在所述第一二极管与所述第二二极管之间的传播， 其中每个布拉格反射镜MB包括不同折射率的至少两种材料的至少三个交替层，所述至少三个交替层中的至少两个层在深度上如下延伸到所述半导体衬底中：从所述前侧向下到底部绝缘区域，所述底部绝缘区域限定每个二极管的底部，所述底部绝缘区域将每个二极管与所述半导体衬底的其余部分电绝缘，其中所述至少三个交替层中的至少一个层在深度上从所述前侧向下延伸到远端，所述远端位于所述前侧与所述底部绝缘区域之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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