买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中南大学;云南贵金属实验室有限公司申请的专利Ti@TiO₂阵列@Cu_xPt合金复合电极及其制备和在光电催化NO₃ ^-还原制氨中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510483939.6，技术领域涉及：C25B11/093；该发明授权Ti@TiO₂阵列@Cu_xPt合金复合电极及其制备和在光电催化NO₃ ^-还原制氨中的应用是由潘军;童家鑫;谭鹏飞;刘锋;谢建平设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本Ti@TiO₂阵列@Cu_xPt合金复合电极及其制备和在光电催化NO₃ ^-还原制氨中的应用在说明书摘要公布了：本发明属于光电催化制氨领域，具体公开了一种Ti@TiO2阵列@CuxPt合金复合电极及其制备和在光电催化NO3 ‑还原制氨中的应用，其中，所述的Ti@TiO2阵列@CuxPt合金复合电极包括Ti基底、原位生长在Ti基底表面的TiO2纳米片阵列、弥散分布在TiO2纳米片阵列上的纳米CuxPt合金颗粒；TiO2纳米片阵列中的TiO2纳米片沿Ti基底的Z轴方向生长；所述的纳米CuxPt合金颗粒和TiO2纳米片阵列之间存在异质界面。本发明所述的自支撑材料，具有优异的产NH3活性、法拉第效率和稳定性。

本发明授权Ti@TiO₂阵列@Cu_xPt合金复合电极及其制备和在光电催化NO₃ ^-还原制氨中的应用在权利要求书中公布了：1.一种Ti@TiO2阵列@CuxPt合金复合电极，其特征在于，包括Ti基底、原位生长在Ti基底表面的TiO2纳米片阵列、弥散分布在TiO2纳米片阵列上的纳米CuxPt合金颗粒； TiO2纳米片阵列中的TiO2纳米片沿Ti基底的Z轴方向生长； 所述的纳米CuxPt合金颗粒和TiO2纳米片阵列之间存在异质界面； 纳米CuxPt合金颗粒粒径为1~30nm，其中，CuPt金属元素的重量比为60~450:1； 所述的Ti@TiO2阵列@CuxPt合金复合电极中，纳米CuxPt合金颗粒的重量含量为35~45Wt.%； 所述的Ti@TiO2阵列@CuxPt合金复合电极的制备步骤包括： 步骤1： 将Ti基底置于碱液中并在温度T1下进行水热处理，再将水热处理产物预先经酸液离子交换随后进行退火处理，制得在Ti基底上原位生长有TiO2纳米片阵列的Ti@TiO2阵列； 其中，所述的碱液中碱性溶质的浓度为2~6M；温度T1为150~200℃；温度T1下的保温时间为6~12h；酸液中的酸性溶质的浓度为1~2M；退火温度为300~500℃； 步骤2： 将Ti@TiO2阵列和含有Cu源、Pt源、碱、乙二醇和DMF的混合溶液混合，并在温度T2下进行溶剂热处理，制得在Ti@TiO2阵列上沉积有纳米CuxPt合金颗粒的Ti@TiO2阵列@CuxPt合金复合电极； 混合溶液中，Cu源浓度3~15mgmL；碱的浓度为20~80mgmL；温度T2为140~180℃；温度T2下的保温时间为6~10h。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中南大学;云南贵金属实验室有限公司，其通讯地址为：410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。