恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司渠汇获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823507B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110071804.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由渠汇;杨鹏;唐睿智;吉利;钱文明设计研发完成，并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上的分立的鳍部，衬底上形成有横跨鳍部的栅极结构，栅极结构的顶部形成有第一硬掩模层，第一硬掩模层上形成有第二硬掩膜层，第一硬掩模层的材料硬度小于第二硬掩模层的材料硬度，基底上还形成有覆盖第二硬掩模层的层间介质材料层；去除第一部分厚度的层间介质材料层，露出第二硬掩模层，并且剩余层间介质材料层覆盖第一硬掩模层的侧壁；去除部分厚度的第二硬掩膜层；去除部分厚度的第二硬掩模层后，同时去除第二部分厚度的层间介质材料层、剩余的第二硬掩模层和第一硬掩模层，剩余的层间介质材料层作为层间介质层，层间介质层覆盖栅极结构的部分侧壁或整个侧壁。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括衬底以及位于所述衬底上的分立的鳍部，所述衬底上形成有横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构的顶部形成有第一硬掩模层，所述第一硬掩模层上形成有第二硬掩模层，所述第一硬掩模层的材料硬度小于所述第二硬掩模层的材料硬度，所述基底上还形成有覆盖所述第二硬掩模层的层间介质材料层； 去除第一部分厚度的所述层间介质材料层，露出所述第二硬掩模层，并且剩余所述层间介质材料层覆盖所述第一硬掩模层的侧壁； 去除部分厚度的所述第二硬掩模层； 去除部分厚度的所述第二硬掩模层后，同时去除第二部分厚度的所述层间介质材料层、剩余的所述第二硬掩模层和所述第一硬掩模层，剩余的所述层间介质材料层作为层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极结构的部分侧壁或整个侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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