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龙图腾网恭喜苏州晶歌半导体有限公司申请的专利双色红外探测器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786731B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110103882.4，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权双色红外探测器及其制作方法是由黄勇;张立群设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本双色红外探测器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双色红外探测器，其包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAsInAsSb超晶格或P型InAsPInAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型InAsGaSb超晶格，所述中波长红外探测器的中波通道势垒层和所述长波长红外探测器的长波通道势垒层均为N型InPSbInAs超晶格。本发明还公开了一种双色红外探测器的制作方法。本发明的双色红外探测器的中波通道吸收层采用了InAsInAsSb或InAsPInAsSb超晶格，长波通道吸收层采用了InAsGaSb超晶格，如此保证了各波段器件的最佳性能。

本发明授权双色红外探测器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种双色红外探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上制作形成层叠的中波长红外探测器和长波长红外探测器； 其中，在衬底上制作形成层叠的中波长红外探测器和长波长红外探测器的方法包括以下步骤： 步骤一、利用P型InAsInAsSb超晶格或P型InAsPInAsSb超晶格在衬底上制作形成中波通道接触层； 步骤二、利用P型InAsInAsSb超晶格或P型InAsPInAsSb超晶格在所述中波通道接触层上制作形成中波通道吸收层； 步骤三、利用N型InPSbInAs超晶格在所述中波通道吸收层上制作形成中波通道势垒层； 步骤四、利用N型InPSbInAs超晶格在所述中波通道势垒层上制作形成中波通道连接层； 步骤五、利用N型InPSbInAs超晶格在中波通道连接层上制作形成长波通道连接层； 步骤六、利用N型InPSbInAs超晶格在所述长波通道连接层上制作形成长波通道势垒层； 步骤七、利用P型InAsGaSb超晶格在所述长波通道势垒层上制作形成长波通道吸收层； 步骤八、利用P型InAsGaSb超晶格在所述长波通道吸收层上制作形成长波通道接触层； 步骤九、在所述中波通道接触层上制作形成第一电极，且在所述长波通道接触层上制作形成第二电极。

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