恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司金成昱获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置和光刻机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114815511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110130278.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置和光刻机是由金成昱;梁贤石;林锺吉;金在植;张成根;丁明正;刘强;贺晓彬;白国斌;刘金彪设计研发完成，并于2021-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置和光刻机在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置和光刻机，包括：校正模块，其位于狭缝式曝光带测量区域与狭缝式曝光带的相反侧，其中，狭缝式曝光带测量区域位于狭缝式曝光带的两侧；在所述校正模块和所述狭缝式曝光带测量区域之间，具有狭缝式曝光带控制区域，滤光板可移动至所述狭缝式曝光带控制区域中；其中，校正模块和滤光板在朝向所述曝光狭缝的方向上都是可移动的。通过可移动的校正模块和滤光板，控制滤光板在狭缝式曝光带控制区域移动改变光强和焦距，从而改善狭缝均匀性，最小化由于狭缝均匀性改变而产生的问题。通过对狭缝式曝光带均匀性的调整，能够精细的调整关键尺寸一致，从而提升产品的良率。
本发明授权一种用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置和光刻机在权利要求书中公布了：1.一种用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置，其特征在于，包括： 校正模块，其位于狭缝式曝光带测量区域与狭缝式曝光带的相反侧，其中，狭缝式曝光带测量区域位于狭缝式曝光带的两侧； 在所述校正模块和所述狭缝式曝光带测量区域之间，具有狭缝式曝光带控制区域，滤光板可移动至所述狭缝式曝光带控制区域中；其中， 校正模块和滤光板在朝向所述狭缝的方向上都是可移动的； 位于所述狭缝式曝光带一侧的校正模块是多个，每个所述校正模块在朝向所述狭缝式曝光带的方向上的移动可以被单独控制。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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