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龙图腾网获悉东莞市天域半导体科技有限公司申请的专利用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114808142B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210549425.2，技术领域涉及：C30B33/02；该发明授权用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置是由丁雄傑;韩景瑞;刘薇;邹雄辉;李锡光设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置，包括电源控制模块、测温单元、第一电极、第二电极及托盘结构，托盘结构上设有容置槽，第一、第二电极分别对应于托盘结构的中心和边缘设置，且第一、第二电极分别电连接于电源控制模块的正负极，测温单元设于托盘结构的上方并电连接于电源控制模块，当容置槽内容纳碳化硅晶片时，碳化硅晶片使第一、第二电极导通从而形成加热电路，利用导电型碳化硅晶片的内部电阻发热来实现热退火，并根据测温单元的检测结果控制施加于第一、第二电极之间的电压以调节加热温度，该电流加热装置的升、降温速率远快于现有的炉腔加热装置，在小批量处理导电型碳化硅晶片时，具有较大时间成本和能耗成本优势。

本发明授权用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置在权利要求书中公布了：1.一种用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置，其特征在于，包括电源控制模块、测温单元、第一电极、第二电极以及托盘结构，所述托盘结构包括石英玻璃基材，所述托盘结构上设有容置槽，所述第一电极对应于所述托盘结构的中心设置，多个所述第二电极安装于所述托盘结构的边缘，并沿所述托盘结构的周向均匀布置，并且所述第一电极、所述第二电极分别电连接于所述电源控制模块的正负极，所述测温单元设于所述托盘结构的上方并电连接于所述电源控制模块，当所述容置槽内容纳碳化硅晶片时，所述碳化硅晶片使所述第一电极、所述第二电极导通从而形成加热电路，所述测温单元用于检测所述容置槽内的碳化硅晶片的表面温度，所述电源控制模块用于根据所述测温单元所检测到的温度调节施加于所述第一电极、所述第二电极之间的电压； 其中，当所述第一电极电连接于所述电源控制模块的正极、所述第二电极电连接于所述电源控制模块的负极时，所述加热电路等效为由多个阻值为Ri的电阻并联的电阻加热电路；当所述第一电极电连接于所述电源控制模块的负极、所述第二电极电连接于所述电源控制模块的正极时，所述加热电路等效为多个阻值为Ri并且相互独立的电阻加热电路。

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