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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于阻挡块调制结构的功率晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000062B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210566313.8，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权基于阻挡块调制结构的功率晶体管及其制作方法是由毛维;裴晨;杨翠;彭国良;杜鸣;马佩军;郑雪峰;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于阻挡块调制结构的功率晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于阻挡块调制结构的功率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化镓基功率晶体管的电流崩塌和低击穿电压问题，其自下而上包括：衬底、过渡层、沟道层和势垒层，该势垒层上部依次为P型块和栅极，P型块左侧为由m个平行回型阻挡块构成的阻挡块阵列，各回型阻挡块中设有方形槽，这些方形槽构成调制槽；各回型阻挡块左侧均设有深度为h的深槽，各深槽中设有倒L型金属条，这些金属条构成块金属，块金属上侧位于阻挡块阵列和调制槽上部，块金属左侧为漏极，P型块右侧为源极。当h0μm时，构成凹槽型晶体管，当h＝0μm时，块金属在势垒层上部，退化为平面型晶体管。本发明能抑制电流崩塌，提升击穿电压，可用作电力电子系统。

本发明授权基于阻挡块调制结构的功率晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于阻挡块调制结构的凹槽型功率晶体管器件，自下而上包括：衬底（1）、过渡层（2）、沟道层（3）和势垒层（4），势垒层（4）上部设有P型块（5），P型块（5）上部淀积有栅极（11），势垒层（4）的上部左、右侧边缘分别设有漏极（8）和源极（9），其特征在于： 所述P型块（5）与漏极（8）之间的势垒层（4）上设有阻挡块阵列（6），该阻挡块阵列（6）由m个大小相同且等间距平行排列的回型阻挡块构成，m≥1，所有回型阻挡块中均设有方形槽，这些方形槽组成了调制槽（7）； 所述沟道层（3）或势垒层（4）内部设有凹槽（12），该凹槽（12）由m个大小相同等间距平行排列的深槽构成，这些深槽均位于m个回型阻挡块左侧的沟道层（3）或势垒层（4）中； 所述凹槽（12）内设有块金属（10），该块金属（10）包括m个大小相同的倒L型金属条，这些倒L型金属条的垂直部分下侧均位于凹槽（12）内部，倒L型金属条垂直部分右侧紧靠阻挡块阵列（6）中的m个回型阻挡块左侧，倒L型金属条水平部分位于m个回型阻挡块和调制槽（7）中的m个方形槽上部。

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