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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利晶体管及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910759563.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权晶体管及其形成方法是由周仲彦;陈志远设计研发完成，并于2019-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。晶体管中的栅极介质层具有上层部和下层部，并且上层部为叠层设置，从而可以在不改变下层部的厚度的基础上，增加上层部的厚度。如此，即能够在维持晶体管的性能的基础上，改善栅极感应漏电流GIDL现象；并且，本发明中是通过叠层设置以增加上层部的厚度，进而有利于实现对上层部的参数的灵活调整。

本发明授权晶体管及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底中形成有栅极沟槽；以及， 形成栅极介质层在所述栅极沟槽的内壁，所述栅极介质层包括上层部和下层部，所述上层部覆盖所述栅极沟槽高于预定高度位置的内壁，所述下层部覆盖所述栅极沟槽低于预定高度位置的内壁； 形成栅极导电层，所述栅极导电层形成在所述栅极介质层上并位于所述栅极沟槽中； 形成绝缘介质层，位于所述栅极导电层上； 其中，所述上层部包括内衬层和外盖层，所述内衬层覆盖所述栅极沟槽的内壁，所述外盖层覆盖所述内衬层的外侧壁，并且所述内衬层和所述外盖层的厚度之和大于所述下层部的厚度值； 其中，在形成所述栅极沟槽之后，形成所述栅极介质层，且所述栅极介质层的形成方法包括： 形成第一介质层在所述栅极沟槽的内壁； 填充牺牲层在所述栅极沟槽中，所述牺牲层从所述栅极沟槽的底部向上填充至预定高度位置，并暴露出所述第一介质层中高于所述牺牲层的外侧壁； 形成第二介质层在所述第一介质层暴露出的外侧壁上，并由所述第一介质层和所述第二介质层构成所述栅极介质层，其中所述第一介质层中低于预定高度位置的部分构成所述下层部，所述第一介质层中高于预定高度位置的部分构成所述内衬层，以及所述第二介质层构成所述外盖层；以及， 去除所述牺牲层； 其中，所述第一介质层与所述第二介质层的材质相同或不同。

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