恭喜杭州知存算力科技有限公司王绍迪获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州知存算力科技有限公司申请的专利闪存单元、闪存模块以及闪存芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111243648B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811436944.8,技术领域涉及:G11C16/14;该发明授权闪存单元、闪存模块以及闪存芯片是由王绍迪设计研发完成,并于2018-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存单元、闪存模块以及闪存芯片在说明书摘要公布了:本发明提供一种闪存单元、闪存模块以及闪存芯片,该闪存单元包括:用于存储长时数据的可编程半导体器件以及用于存储临时数据的模拟电容单元,可编程半导体器件与模拟电容单元并联连接,其中,通过设置模拟电容单元存储临时数据,能够有效减少可编程半导体器件的擦写次数,避免可编程半导体器件的老化。
本发明授权闪存单元、闪存模块以及闪存芯片在权利要求书中公布了:1.一种闪存单元,其特征在于,包括:用于存储长时数据的可编程半导体器件以及用于存储短时数据的模拟电容单元,所述可编程半导体器件与所述模拟电容单元并联连接;其中,所述闪存单元的输出电流为所述可编程半导体器件的输出电流与所述模拟电容单元的输出电流之和,且通过调整所述模拟电容单元的电压对所述闪存单元的输出电流进行调节;当所述模拟电容单元的擦写次数达到预设次数或所述模拟电容单元的电压达到预设电压时,将所述模拟电容单元的电压转存至所述可编程半导体器件。
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