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龙图腾网恭喜安靠科技新加坡控股私人有限公司申请的专利半导体封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113097175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110338446.5，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体封装及其制造方法是由李杰恩;李英宇;邱彦纳拉;班东和;崔旭;郑顾熊;金本吉;新闵哲;林河贞;金姬贤;金祥恒设计研发完成，并于2016-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体封装及其制造方法。本发明提供一种半导体封装和一种制造半导体封装的方法。作为非限制性实例，本发明的各个方面提供一种半导体封装及其制造方法，所述半导体封装包括：衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且包括形成于从所述第一表面朝向所述第二表面的方向中的至少一个第一凹口部分、形成于所述第一凹口部分中的多个第一凹口导电图案以及第一无源元件，所述第一无源元件插入到所述衬底的所述第一凹口部分中且具有电连接到所述多个第一凹口导电图案的第一电极和第二电极。

本发明授权半导体封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，所述电子装置包括:衬底，所述衬底包括:顶部衬底结构，其具有顶部衬底结构顶侧、顶部衬底结构底侧和多个顶部衬底结构周围侧，其中所述顶部衬底结构包括顶部衬底结构导电层和顶部衬底结构电介质层；以及凹孔衬底结构，其具有耦接到所述顶部衬底结构底侧的凹孔衬底结构顶侧、凹孔衬底结构底侧以及多个凹孔衬底结构周围侧，其中:所述凹孔衬底结构包括凹孔衬底结构导电层和凹孔衬底结构电介质层；并且所述凹孔衬底结构包括底部凹孔和在所述凹孔衬底结构底侧中的底部凹孔开口；顶部电子构件，其具有顶部电子构件顶侧、耦接到所述顶部衬底结构顶侧的顶部电子构件底侧以及多个顶部电子构件周围侧；底部电子构件，其具有底部电子构件顶侧、底部电子构件底侧以及多个底部电子构件周围侧，所述底部电子构件顶侧耦接到在所述凹孔中的凹孔衬底结构底侧的一部分，其中所述底部电子构件的至少一部分被设置在所述底部凹孔中；以及囊封材料，所述囊封材料至少覆盖所述顶部衬底结构顶侧和所述顶部电子构件周围侧，所述囊封材料具有囊封顶侧、面向所述顶部衬底结构顶侧的囊封底侧以及多个囊封周围侧，其中所述多个顶部衬底结构周围侧中的每个顶部衬底结构周围侧与所述多个凹孔衬底结构周围侧中相应的一个凹孔衬底结构周围侧共平面并且与所述多个囊封周围侧中相应的一个囊封周围侧共平面。

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