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龙图腾网恭喜苏州立琻半导体有限公司申请的专利半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210938217.1，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装是由吴炫智;金炳祚;崔洛俊设计研发完成，并于2017-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件以及包括该半导体器件的半导体器件封装。该器件包括发光结构，其包括：具有铝的第一半导体层和第二半导体层；具有铝且位于第一和第二半导体层之间的有源层；在第二半导体层中展示的强度范围是在二次离子的第一最小强度和第一最大强度之间；在第一半导体层中展示的强度包括二次离子的第二最小强度，其不同于第一最小强度；在从第二半导体层的表面开始的第一预设距离处，第二半导体层展示出与第二最小强度对应的二次离子的第一中间强度，第一最大强度出现在从第一预设距离开始的第二预设距离处；第二预设距离对第一预设距离的比率是在1:0.2到1:1的范围内。

本发明授权半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：发光结构，所述发光结构包括：第一半导体层，其包括铝；第二半导体层，其包括铝；以及具有铝并且设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；其中，在所述发光结构上轰击初级离子以溅射所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层的多个部分，二次离子包括所产生的针对所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层的各强度的铝；在所述第二半导体层中展示的强度的范围是在二次离子的第一最小强度和二次离子的第一最大强度之间；在所述第一半导体层中展示的强度包括二次离子的第二最小强度，所述第二最小强度不同于所述第一最小强度；以及在从所述第二半导体层的表面开始的第一预设距离处，所述第二半导体层展示出处于所述第一最小强度和所述第一最大强度之间的与所述第二最小强度对应的二次离子的第一中间强度，其中所述第一最大强度出现在从所述第一预设距离开始的第二预设距离处；其中，所述第二预设距离（W1）对所述第一预设距离（W2）的比率是在1:0.2到1:1的范围内。

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