恭喜朗姆研究公司游正义获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利在图案化中的氧化锡心轴获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110728563.2，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权在图案化中的氧化锡心轴是由游正义;萨曼莎·西亚姆华·坦;徐相俊;鲍里斯·沃洛斯基;希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂;理查德·怀斯;潘阳;吴晖荣设计研发完成，并于2019-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本在图案化中的氧化锡心轴在说明书摘要公布了：氧化锡膜在半导体器件制造中用作心轴。在一个实现方式中，该处理开始于提供一种衬底，该衬底具有存在于暴露的蚀刻停止层上的多个突起的氧化锡特征心轴。接下来，在心轴的水平表面和侧壁上都形成保形的间隔材料层。然后从水平表面去除间隔材料，从而暴露出心轴的氧化锡材料，而没有完全去除存在于心轴侧壁上的间隔材料例如，留下初始在侧壁上的高度的至少50％，例如至少90％。接下来，选择性地去除心轴例如，使用基于氢的蚀刻化学物质，同时保留存在于心轴侧壁上的间隔材料。所得的间隔件可用于图案化蚀刻停止层和下伏层。
本发明授权在图案化中的氧化锡心轴在权利要求书中公布了：1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括a提供半导体衬底，所述半导体衬底具有覆盖在氧化锡层上的图案化光致抗蚀剂层；b使用所述图案化光致抗蚀剂层作为掩模在所述氧化锡层中蚀刻多个开口，其中蚀刻所述多个开口包括使用基于氢的蚀刻化学物质和基于氯的蚀刻化学物质中的至少一种来蚀刻所述氧化锡层；c使用基于氧的蚀刻化学物质至少部分地去除所述光致抗蚀剂层，并形成多个氧化锡心轴；d在所述氧化锡心轴上沉积间隔材料层，使得间隔材料涂覆所述氧化锡心轴的侧壁和所述氧化锡心轴的水平部分；e从所述氧化锡心轴的所述水平部分去除所述间隔材料，以及f去除所述氧化锡心轴，以在所述半导体衬底上形成多个间隔件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号